3BHE006412R0101|ABBカード3BHE006412R0101*ONE年WARRANTY*3BHE006412R01013BHE006412R0101

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一般情報

ABB 3BHE006412R0101

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、完全に制御された複合材料です。

BJT（バイポーラトランジスタ）とMOS（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）で構成される電圧駆動型パワー半導体デバイス

また、MOSFETの入力が高く、GTRのインピーダンスとターンオン電圧降下が小さい。 GTR飽和電圧

減少すると、電流密度は大きくなりますが、駆動電流は大きくなります。 MOSFETの駆動力が小さい、t

スイッチング速度は速いが、伝導電圧降下が大きく、電流密度が小さい。

ご参考に

最小注文数量：1ピース

お支払いの種類：100％前払い

保証：1年

宅配便パートナー：DHL、UPS、TNT、FedEx、EMS

リードタイム：2-3営業日

技術仕様、マニュアル、データシート：リクエストに応じて入手可能

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MOORE AUTOMATION LIMITEDは、レガシーから最先端まで、制御システムに重点を置いています。

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