ASM 02-43059 REV CPの信号制御箱

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プロダクト細部

低側のゲートの運転者の出力。低側のNチャネルMOSFETのゲートにこのピンを接続して下さい。VIN時

バイアスは、内部200-kΩ抵抗器の引きLDRVへのPGND取除かれます。

ICの力の地面。低側のMOSFETの源にこのピンを接続して下さい。PGNDはあるべきです

PCBの一点によってAGNDに接続される。

内部制御回路およびゲートの運転者のための内部LDOそして電源の出力。VCCは普通あります

7.5 TPS43060のためのVおよびTPS43061のための5.5ボルト。このピンからの低ESR陶磁器のコンデンサーを接続して下さい

PGNDに。チタニウムは0.47からの10 µFにキャパシタンス範囲を推薦します。

高側のMOSFETのゲートの運転者のためのコンデンサー ノードをブートストラップして下さい。このピンからのブートストラップのコンデンサーを接続して下さい

SWピンに。

倍力コンバーターの切換えノード。低側のMOSFETの下水管の接続点にこのピンを接続して下さい、

高側の同期MOSFETの源、および誘導器。

高側のゲートの運転者の出力。高側の同期整流器MOSFETのゲートにこのピンを接続して下さい。

バイアスVINが取除かれるとき、このピンは内部200-kΩ抵抗器を通してSWに接続されます。

力のよい表示器。このピンはオープン下水管の出力です。チタニウムは10-kΩプルアップの抵抗器をその間推薦します

PGOODおよびVCCまたは外的な論理の供給ピン。

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