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| 起源の場所: | スウェーデン |
| ブランド名: | ABB |
| 証明: | CO.CQ |
| モデル番号: | 5SHY4045L0006 |
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ABB 5SHY4045L0006（3BHB030310R0001またはGVC736CE101としても知られています）は、
要求の厳しい電力電子アプリケーション向けに設計された高性能のIntegrated Gate-Commutated Thyristor（IGCT）モジュールです。 ABBのGVC736シリーズの一部であり、従来のサイリスタの利点と
トランジスタを組み合わせ、超高速スイッチング速度と高電流処理能力を提供します。
高電圧・電流容量:4500 V定格で、最大2500 Aの電流を処理でき、高電力アプリケーションに適しています。
高速スイッチング速度:5 µs未満のスイッチング時間で、動的システムでの迅速な応答を可能にします。
低伝導損失:浅いエミッタ構造とバッファ層技術を採用し、動的損失を約50％削減し、エネルギー効率を高めています。
統合保護メカニズム:RC吸収および保護機能が含まれており、複雑な環境での安定した動作を保証します。
モジュール設計:コンパクトなフォームファクタ（直径91 mm）と軽量（約3 kg）により、制御システムへの統合が容易になります。
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| DI811 3BSE008552R1 | DSQC662 3HAC026254-001 | PU515 3BSE013063R1 |
| SC520 3BSE003816R1 | DSQC663 3HAC029818-001 | SB510 3BSE000860R1 |
| PM633 3BSE008062R1 | PM152 3BSE003643R1 | CS31 FPR3315101R1032 |
| 07DC92 GJR5252200R0101 | PM151 3BSE003642R1 | 3HAC14549-3 |
| DI801 3BSE020508R1 | SAFT110POW SAFT 110 POW | DSTX180 3BUR980025R1 |
| AI830 3BSE008518R1 | SNAT7640 SNAT 7640 3BSE003195R1 | DSQC651 3HEA800439-002 |
| DI821 3BSE008550R1 | DSQC625 3HAC020464-001 | HIEE200130R2 AFC094AE01 |
| DO801 3BSE020510R1 | DSQC378B 3HNE00421-1 | HIEE300831R0001 UAC346AE01 |
| PP865A 3BSE042236R2 | DSDX451 5716075-K | 07DI92 WT92 GJR5252400R4101 |
| SAFT188IOC SAFT 188 IOC | PFBO161 3BSE000460R1 | 07KT97 WT97 GJR5253000R4270 |
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