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| 起源の場所: | スウェーデン |
| ブランド名: | ABB |
| 証明: | CO.CQ |
| モデル番号: | NGDR-07C NGDR-07 FF650R17IE4 |
アップル/モバイル:86-18020776792 スパイ:ミヤゼング520
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についてNGDR-07C / NGDR-07 / FF650R17IE4ABB IGBT モジュールキットは,インフィニオン TRENCHSTOPTM IGBT4 (E4) テクノロジプラットフォームに基づいた高電圧,高電流の産業用電源半導体ソリューションです.中高功率変換システムで堅牢で効率的な動作のために設計されたこのモジュールは 1700 V / 650 A PrimePACKTM 2 のダブル・ハフブリッジ IGBT 構成を統合し,高い信頼性,低スイッチ損失,優れた熱循環能力のために最適化されています.
| ABBNGDR-07C NGDR-07 FF650R17IE4特徴: |
| 電気性能評価 | |
| コレクター・エミッター電圧 (V_CES): | 1700V |
| 総電流 (I_Cnom): | 650A |
| 最大コレクター電流 (I_Cmax): |
650A |
| 交差点動作温度 (T_vj op): | 150°Cまで |
についてNGDR-07C / NGDR-07 / FF650R17IE4ABB IGBT モジュールキットは,PrimePACKTM 2半ブリッジのデュアルIGBTアーキテクチャをベースに,IGBT4 (TRENCHSTOPTM E4) チップとコパックされた高速復元ダイオードとNTCサーミストールを統合しています.コンパクトインバーターシステムで高密度の電源変換を可能にする.
についてNGDR-07C / NGDR-07 / FF650R17IE4ABBモジュールは,フィールドストップ・トランッチIGBTセル工学と最適化された漂流領域ドーピングプロファイルによって達成された1700V (V_CES) のコレクター-エミッター電圧評価を示しています.安定した雪崩耐性と高臨時超電圧耐性を確保する.
についてNGDR-07C / NGDR-07 / FF650R17IE4ABBモジュールは,高電流密度のチップスタッキング,最適化されたエミッター金属化,低抵抗電流伝播幾何学により,650A (I_Cnom) の名値コレクター電流をサポートする.高功率駆動システムにおける効率的な伝導を可能にする.
についてNGDR-07C / NGDR-07 / FF650R17IE4ABBモジュールは,IGBT4超高速尾電流抑制とダイオード軟性の最適化により,スイッチ損失を最小限に抑え,E_on,E_off,高周波インバーター環境でのPWM動作中の逆回復エネルギー (E_rec).
についてNGDR-07C / NGDR-07 / FF650R17IE4ABBモジュールは,銅基板の熱伝播,低熱阻害インターフェースにより,T_vj ((op) = 150°Cまで延長された接続温度能力をサポートします.熱機械的に最適化された溶接層.
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